Analysis of Structure Dependence of Very Short Channel Field Effect Transistor Using Vertical Tunneling with Heterostructures on Silicon

• Autores: M. Asada, W. Saitoh, K. Yamazaki, M. Tsutsui
• Localización: IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 81, Nº 12, 1998, págs. 1918-1925
• Idioma: inglés
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