Device Linearity and Gate Voltage Swing Improvement by Al~0~.~3Ga~0~.~7As/In~0~.~1~5Ga~0~.~8~5As Double Doped-Channel Design

• Autores: C. W. Chen, Y. J. Chan, F. T. Chien, H. C. Chiu, S. C. Yang
• Localización: IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 84, Nº 10, 2001, págs. 1306-1311
• Idioma: inglés
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