High RF Performance of 50-nm-Gate Lattice-Matched InAlAs/InGaAs HEMTs

• Autores: K. Hikosaka, T. Mimura, S. Hiyamizu, T. Matsui, A. Endoh, Y. Yamashita, M. Higashiwaki
• Localización: IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 84, Nº 10, 2001, págs. 1328-1334
• Idioma: inglés
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