Fabrication and Characterization of InGaAs/InAlAs Insulated Gate Pseudomorphic HEMTs Having a Silicon Interface Control Layer

• Autores: C. Jiang, H. Hasegawa, Y. G. Xie, S. Kasai, H. Takahashi
• Localización: IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 84, Nº 10, 2001, págs. 1335-1343
• Idioma: inglés
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