Process Characterization and Optimization for a Novel Oxide-Free Insulated Gate Structure for InP MISFETs Having Silicon Interface Control Layer

• Autores: S. Kasai, H. Hasegawa, H. Takahashi, M. Yamada, Y. G. Xie
• Localización: IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 84, Nº 10, 2001, págs. 1344-1349
• Idioma: inglés
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