The Recovery Process of RIE-Damage in InGaAs/AlGaAs PHEMT Using Recombination Enhanced Defect Reaction

• Autores: M. Tsunotani, T. Kimura, S. Hoshi, T. Izumi, T. Ohshima
• Localización: IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 84, Nº 10, 2001, págs. 1350-1355
• Idioma: inglés
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