A Simplified Process Modeling for Reverse Short Channel Effect of Threshold Voltage of MOSFET

• Autores: K. Fukuda, H. Hayashi, N. Miura, H. Komatsubara
• Localización: IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 84, Nº 9, 2001, págs. 1234-1239
• Idioma: inglés
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