RF Characterisation and Transient Behaviour of AlGaN/GaN Power HFETs

• Autores: A. Wieszt, H. H. Sledzik, H. Leier, A. Vescan, R. Dietrich
• Localización: IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 84, Nº 10, 2001, págs. 1442-1447
• Idioma: inglés
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