Comparison between Device Simulators for Gate Current Calculation in Ultra-Thin Gate Oxide n-MOSFETs

• Autores: P. Hesto, E. Cassan, S. Galdin, P. Dollfus
• Localización: IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 83, Nº 8, 2000, págs. 1194-1202
• Idioma: inglés
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