Simulation of Direct Tunneling through Stacked Gate Dielectrics by a Fully Integrated 1D-Schrodinger-Poisson

• Autores: A. Wettstein, A. Schenk, W. Fichtner
• Localización: IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 83, Nº 8, 2000, págs. 1189-1193
• Idioma: inglés
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