RF Analysis Methodology for Si and SiGe FETs Based on Transient Monte Carlo Simulation

• Autores: J. R. Barker, S. Roy, S. Kaya, A. Asenov
• Localización: IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 83, Nº 8, 2000, págs. 1224-1227
• Idioma: inglés
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