Systematic Yield Simulation Methodology Applied to Fully-Depleted SOI MOSFET Process

• Autores: K. Nishi, N. Miura, H. Hayashi, K. Fukuda
• Localización: IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 83, Nº 8, 2000, págs. 1288-1294
• Idioma: inglés
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