A BSIM3v3 and DFIM Based Ferroelectric Field Effect Transistor Model

• Autores: T. Haneder, M. Ullmann, H. Goebel, H. Hoenigschmid
• Localización: IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 83, Nº 8, 2000, págs. 1324-1330
• Idioma: inglés
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