Modeling and Simulation of Tunneling Current in MOS Devices Including Quantum Mechanical Effects

• Autores: A. Hamad, H. Vaidya, A. Ghetti, J. Bude, P. Silverman
• Localización: IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 83, Nº 8, 2000, págs. 1175-1182
• Idioma: inglés
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