Temperature Dependence of Gain Characteristics in 1.3-mum AlGalnAs/InP Strained Multiple-Quantum-Well Semiconductor Lasers

• Autores: T. Fujii, H. Soda, M. Yamada, T. Higashi, T. Yamamoto, T. Ishikawa
• Localización: IEICE transactions on communications, ISSN 0916-8516, Vol. 84, Nº 5, 2001, págs. 1274-1281
• Idioma: inglés
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