A Buried-Channel Self-Aligned GaAs MESFET with High Power-Efficiency and Low Noise-Figure for 1.9-GHz SIngle-CHip Front-End MMICs

• Autores: K. Nishihori
• Localización: IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 80, Nº 12, 1997, págs. 1586-1591
• Idioma: inglés
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