New Reduction Mechanism of the Stress Leakage Current Based on the Deactivation of Step Tunneling Sites for Thin Oxide Films

• Autores: T. Endoh
• Localización: IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 80, Nº 10, 1997, págs. 1310-1316
• Idioma: inglés
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