Simulated Device Design Optimization to Reduce the Floating Body Effect for Sub-Quarter Micron Fully Depleted SOI-MOSFETs

• Autores: R. Koh, T. Mogami, H. Kato
• Localización: IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 80, Nº 7, 1997, págs. 893-898
• Idioma: inglés
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