An Accurate Model of Fully-Depleted Surrounding Gate Transistor (FD-SGT)

• Autores: T. Endoh, T. Nakamura, F. Masuoka
• Localización: IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 80, Nº 7, 1997, págs. 905-910
• Idioma: inglés
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