Device Parameter Estimation of SOI MOSFET Using One-Dimensional Numerical Simulation Considering Quantum Mechanical Effects

• Autores: R. Ikeno, H. Ito, K. Asada
• Localización: IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 80, Nº 6, 1997, págs. 806-811
• Idioma: inglés
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