Improvement of Adjacent Channel Leakage Power and Intermodulation Distortion by Using a GaAs FET Linearizer with a Large Source Inductance

• Autores: K. Mori
• Localización: IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 80, Nº 6, 1997, págs. 775-781
• Idioma: inglés
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