Gate Current Control Method by Pull-Down FET's for 0-28dB GaAs Variable Attenuator in Direct-Conversion Modulator IC for 1.9 GHz PHS

• Autores: T. Sasaki
• Localización: IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 80, Nº 6, 1997, págs. 794-799
• Idioma: inglés
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