A Fully Depleted CMOS/SIMOX LSI Scheme Using a LVTTL-Compatible and Over-2,000-V ESD-Hardness I/O Circuit for Reduction in Active and Static Power Consumption

• Autores: Y. Ohtomo
• Localización: IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 80, Nº 3, 1997, págs. 455-463
• Idioma: inglés
• Texto completo no disponible (Saber más ...)