Applying PSO-based BPN for predicting the yield rate of DRAM modules produced using defective ICs.

• Autores: Z.-J. Lee, K.-C. Ying, S.-C. Chen, S.-W. Lin
• Localización: International journal of advanced manufacturing technology, ISSN 0268-3768, Vol. 49, Nº. 9-12, 2010, págs. 987-1000
• Idioma: inglés
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