Resumen de Transición de fase estructural de FCC a BCC en el ScN

R. González Hernández, William López Pérez, J. A. Rodríguez Martínez

• español

  Empleando cálculos de primeros principios, a partir del método de ondas planas aumentadas y linealizadas en la versión de potencial completo (FP-LAPW) dentro de la aproximación de gradiente generalizado (GGA), estudiamos las propiedades estructurales y electrónicas del nitruro de escandio (ScN) en las estructuras cloruro de sodio (NaCl) y cloruro de cesio (CsCl). La estructura NaCl resulto ser la configuración más estable con parámetro de red a=4.514 Å y modulo de volumen B=197.06 GPa. Además, se presenta un mínimo local adicional en la estructura CsCl. Nuestros cálculos predicen una posible transición de fase estructural y electrónica de la fase NaCl (semiconductor indirecto) a la fase CsCl (metálica). Los cálculos de estructuras de bandas se realizaron dentro de la aproximación de Engel-Vosko (EV-GGA). Por otro lado, se calcularon las constantes elásticas del ScN.

• English

  Using first-principles calculations, by means of the Full Potential Linealizated Augmented Plane Wave method (FPLAPW) with the Gradient Generalized Approximation (GGA) we have studied the structural and electronic properties of scandium nitride (ScN) in the sodium chloride (NaCl) and cesium chloride (CsCl) structures. NaCl is the calculated ground-state structure with a=4.514 Å and bulk modulus B=197.06 GPa. There is an additional local minimum in the CsCl structure. Our calculations have predicted an electronic and structural phase transition from the NaCl structure (indirect semiconductor) to CsCl structure (metallic). We have carried out the band structures calculations in the Engel-Vosko approximation (EVGGA). On the other hand, elastic constants are found from our calculations.