Resumen de Estudio mediante tight-binding y método de Monte Carlo de las propiedades electrónicas de Si y Ge

Diego A. Rasero, Tomás S. Suárez, Rosbel Jiménez, Jairo Arbey Rodríguez Martínez

• español

  Se calcularon los estados electrónicos en volumen para los semiconductores Silicio (Si) y Germanio (Ge), usando el método Tight-Binding (TB), teniendo en cuenta interacciones hasta primeros vecinos. La matriz Hamiltoniana se construyó usando una base de orbitales atómicos s, p y los estados excitados s*. Basados en esta aproximación se procedió a calcular las relaciones de dispersión de la energía E contra número de onda k, para algunas direcciones de alta simetría en la primera zona de Brillouin (PBZ). En seguida se determinaron los caracteres de las bandas y las densidades de estados (DOS) totales y parciales de acuerdo a los caracteres de los diferentes orbítales usados en la base en la que se escribio la matriz hamiltonana.

• English

  The electronic states were calculated in volume for the semiconductors Silicon (Si) and Germanium (Ge), using the method Tight-Binding (TB), keeping in mind interactions up to first neighbors. The matrix Hamiltonian was built using a base of orbital atomic s, p and the excited states s *. Based in this approach you proceeded to calculate the relationships of dispersion of the energy E against wave number k, for some addresses of high symmetry in the first zone of Brillouin (PBZ). The characters of the bands and the densities of states were determined (DOS) total and partial according to the orbital characters of the different ones used in the base in which the matrix hamiltonan was written.