Fraccion de Volumen Cristalina en Muestras de �Êc-Si Dopadas con Boro Obtenida Mediante Espectroscopia Raman

• Autores: A. Dussan, J. A. Schmidt
• Localización: Revista de la Sociedad Colombiana de Física, ISSN-e 0120-2650, Vol. 41, Nº. 1, 2009, págs. 82-84
• Idioma: español
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• Resumen
  • español

    En este trabajo, se depositaron muestras de silicio microcristalino dopadas con Boro (�Ýc-Si:H (B)) a partir del metodo de deposicion quimica en fase de vapor asistida por plasma (PECVD), usando silano (SiH4) diluido en hidrogeno, y diborano (B2H6) como gas dopante. La concentracion de diborano se vario en el rango entre 0 y 100 ppm. Se realizo un estudio de las propiedades estructurales a partir de la tecnica de espectroscopia Raman. Los espectros Raman revelaron un aumento en la fraccion de volumen cristalina (Xc) de las muestras a medida que la concentracion de Boro aumentaba desde 0 a 75 ppm. Por encima de 75 ppm se encontro que la Xc decrece nuevamente indicando una amorfizacion en el material.

  • English

    In this work, boron doped microcrystalline silicon films (�Ýc-Si:H (B)) was deposited by plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD), using silane (SiH4) diluted in hydrogen, and diborane (B2H6) as a dopant gas. The concentration of B2H6 was varied in the range of 0 ¡V 100 ppm. The structural properties of the films have been investigated by Raman mea-surements. A progressive increase in the crystalline volume fraction for concentrations from 0 to 75 ppm was detected; whereas for boron concentrations above 75 ppm was observed a reduction of XC, which indicates an amorphization of the material.