Resumen de Electron And Hole Energy Levels In GaAs-AlwGa1-wAs Double Quantum Wells In Presence Of A Uniform Magnetic Field

J. Darío Perea, N. Porras-Montenegro

• español

  Dentro de la aproximación de la masa efectiva realizamos un estudio de los niveles electrónicos y de huecos en sistemas de doble pozo cuántico de GaAs-AlwGa1-wAs bajo la acción de un campo magnético uniforme aplicado en la dirección de cre-cimiento. Estudiamos las energías de transición electrón-hueco no correlacionados en función de la concentración de alu-minio, geometría de la heteroestructura y el campo magnético uniforme aplicado. Encontramos que la energía del estado fundamental y de los estados excitados aumenta con el ancho y altura de la barrera y se incrementa con el campo magnéti-co aplicado. Los resultados obtenidos están en muy buen acuerdo con resultados experimentales y teóricos recientes.

• English

  In this work we studied the behavior of electron and hole energy levels in GaAs-AlwGa1-wAs double quantum wells within the effective mass approach. The system studied was in presence of a uniform magnetic field. In our case, we considered a configuration in which the magnetic field is applied in the growth direction of the heterostructure. We present the explicit analysis to identify the no-correlated electron-hole transistion energy as a function of the Aluminium´s concentration, hete-rostructure geometry and the applied magnetic field.