No volatilidad en láminas ferroeléctricas de SBT a 75°C

• R. Jiménez ^[1] ; Alberto González Benavente-García ^[1] ; C. Alemany ^[1] ; M. L. Calzada ^[1] ; J. Mendiola ^[1]
  1. [1] Instituto de Ciencia de Materiales de Madrid

     Instituto de Ciencia de Materiales de Madrid

     Madrid, España

     
• Localización: Boletín de la Sociedad Española de Cerámica y Vidrio, ISSN 0366-3175, Vol. 41, Nº. 1, 2002, págs. 22-26
• Idioma: español
• Títulos paralelos:
  • Non-volatility of ferroelectric SBT thin fims, at 75ºC
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• Resumen
  • español

    El estudio de la no volatilidad de una memoria FeRAM de tantalato de bismuto y estroncio, SrBi2Ta2O9 (SBT) en condiciones reales de uso, requiere la caracterización ferroeléctrica del material en forma de lámina delgada a temperaturas por encima del ambiente. Para ello se han depositado láminas de SBT mediante un método sol-gel, sobre substratos de Pt/TiO2/SiO2/Si(100), seleccionándose condensadores de área 5.10-4 cm-2. Basándonos en las medidas de la variación de la polarización con el tiempo (retención) realizadas a temperatura ambiente y a 75ºC, analizamos la viabilidad del material como una FeRAM en condiciones reales de uso.

  • English

    The study of the non-volatility of Strontium bismuth tantalate SrBi2 Ta2 O9 (SBT) FeRAM memory, at real operating conditions, requires the ferroelectric characterisation of the material, as a thin film, above the room temperature.As a result, it has been deposited SBT films by the sol-gel method, onto Pt/TiO2 /SiO2 /Si (100) substrates, using capacitors of 5 x 10–4 cm-2 .In this work, we analysed the viability of this material as a FeRAM memory in real operating conditions, as a result of the variation of the polarisation measurements with time (retention), performed at room temperature and 75ºC.