Extraction of 3D parasitic capacitances in 90 nm and 22 nm NAND flash memories.

• Autores: J. Postel-Pellerin, F. Lalande, P. Canet, R. Bouchakour, F. Jeuland, L. Moracho
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 49, Nº. 9-11, 2009, págs. 1056-1059
• Idioma: inglés
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