Experimental study about gate oxide damages in patterned MOS capacitor irradiated with heavy ions.

• Autores: G. Busatto, G. Currò, F. Iannuzzo, A. Porzio, A. Sanseverino, F. Velardi
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 49, Nº. 9-11, 2009, págs. 1033-1037
• Idioma: inglés
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