Investigation of defects introduced by static and dynamic hot carrier stress on SOI partially depleted body-contact MOSFETs.

• Autores: M.A. Exarchos, G.J. Papaioannou, J. Jomaah, F. Balestra
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 49, Nº. 9-11, 2009, págs. 1018-1023
• Idioma: inglés
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