Influence of various process steps on the reliability of PMOSFETs submitted to negative bias temperature instabilities.

• Autores: C. Benard, G. Math, P. Fornara, J.-L. Ogier, D. Goguenheim
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 49, Nº. 9-11, 2009, págs. 1008-1012
• Idioma: inglés
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