Trend transformation of drain-current degradation under drain-avalanche hot-carrier stress for CLC n-TFTs.

• Autores: Z.-Y. Hsieh, M.C. Wang, C. Chen, J.-M. Shieh, Y.-T. Lin, S.-Y. Chen, H.-S. Huang
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 49, Nº. 8, 2009, págs. 892-896
• Idioma: inglés
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