Dynamic performance of graded channel DG FD SOI n-MOSFETs for minimizing the gate misalignment effect.

• Autores: R.K. Sharma, R. Gupta, M. Gupta, R.S. Gupta
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 49, Nº. 7, 2009, págs. 699-706
• Idioma: inglés
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