Temperature dependent time-to-breakdown (TBD) of TiN/HfO2 n-channel MOS devices in inversion.

• Autores: N.A. Chowdhury, X. Wang, G. Bersuker, C. Young, N. Rahim, D. Misra
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 49, Nº. 5, 2009, págs. 495-498
• Idioma: inglés
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