Physical degradation of GaN HEMT devices under high drain bias reliability testing.

• Autores: S. Y. Park, C. Floresca, U. Chowdhury, J.L. Jimenez, C. Lee, E. Beam, P. Saunier, T. Balistreri, M.J. Kim
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 49, Nº. 5, 2009, págs. 478-483
• Idioma: inglés
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