Three-dimensional finite-element thermal simulation of GaN-based HEMTs.

• Autores: F. Bertoluzza, N. Delmonte, R. Menozzi
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 49, Nº. 5, 2009, págs. 468-473
• Idioma: inglés
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