Analytical analysis of nanoscale multiple gate MOSFETs including effects of hot-carrier induced interface charges.

• Autores: F. Djeffal, Z. Ghoggali, Z. Dibi, N. Lakhdar
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 49, Nº. 4, 2009, págs. 377-381
• Idioma: inglés
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