ng vertical dielectric layers to improve the operation performance of flash memory devices.

• Autores: C.-H. Ho, K.-S. Chang-Liao, C.-Y. Lu, C.-C. Lu, T.-K. Wang
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 49, Nº. 4, 2009, págs. 371-376
• Idioma: inglés
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