Emitter-metal-related degradation in InP-based HBTs operating at high current density and its suppression by refractory metal.

• Autores: Y.K. Fukai, K. Kurishima, N. Kashio, M. Ida, S. Yamahata, T. Enoki
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 49, Nº. 4, 2009, págs. 357-364
• Idioma: inglés
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