La tecnología basada en GaN multi-MHz sube el listón de la densidad

• Autores: Michael A. Briere
• Localización: Mundo electrónico, ISSN 0300-3787, Nº 407, 2009, págs. 34-36
• Idioma: español
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• Resumen

  • Gracias a su capacidad para alcanzar frecuencias de conmutación muy superiores a 5 MHz, y con el potencial de llegar hasta 60 MHz, los transistores de alta movilidad de electrones (high electron mobility transistors, HEMT) basados en nitruro de galio (GaN) sobre silicio y viables comercialmente están llamados a impulsar una nueva tendencia para las soluciones de conversión de potencia de alta frecuencia, alta densidad y alta eficiencia.