Espesores críticos de relajación en pozos cuánticos de InGaAs/GaAs sobre sustratos de GaAs(OO1) y (111)B

• Autores: M. Gutierrez
• Localización: Boletín de la Sociedad Española de Cerámica y Vidrio, ISSN 0366-3175, Vol. 39, Nº 4, 2000, págs. 482-486
• Idioma: español
• Texto completo no disponible (Saber más ...)
• Resumen

  • Se presenta un estudio mediante Microscopía Electrónica de Transmisión (TEM) y Fotoluminiscencia (PL) de espesores críticos de epicapa (CLT) en pozos cuánticos simples de InGaAs/GaAs crecidos sobre substratos de GaAs con orientaciones (001) y (111)B. Los resultados obtenidos demuestran que la disminución de la señal luminiscente del espectro de PL se debe a distintos mecanismos de relajación para cada orientación de sustrato. Así, en sustratos orientados (001), el CLT viene definido por la transición desde un frente de crecimiento plano (2D) a otro ondulado (3D). Sin embargo, la relajación plástica debida a una red de dislocaciones de desajuste (DD) determina el CLT en sustratos orientados (111)B. El análisis por TEM de esta red de dislocaciones muestra la existencia de una nueva configuración de DD distinta a la anteriormente descrita en la bibliografía.

    La nueva configuración observada permite explicar los resultados experimentales obtenidos para el caso de SQW de InGaAs/ GaAs (111)B utilizando los modelos clásicos de CLT de formación de la primera DD.