Efecto del dopado con Si sobre la estructura de defectos en sistemas heteroepitaxiales GAN/ALN/SI(111)

• Autores: A. M. Sanchez
• Localización: Boletín de la Sociedad Española de Cerámica y Vidrio, ISSN 0366-3175, Vol. 39, Nº 4, 2000, págs. 468-471
• Idioma: español
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• Resumen

  • En el presente artículo se lleva a cabo el análisis del efecto que el dopado con Si tiene sobre la estructura de defectos en epicapas de GaN crecidas por epitaxia de haces moleculares sobre sustratos de Si (111) utilizando capas amortiguadoras de AlN. La caracterización estructural se llevó a cabo mediante microscopía electrónica de transmisión convencional y de alta resolución.

    El dopado con Si afecta a la desorientación y tamaño de los subgranos que constituyen la estructura mosaico de la epicapa de GaN. El dopado con Si provoca un aumento en la densidad de defectos planares, así como una disminución en la densidad de dislocaciones de propagación. El incremento en el grado de desorientación de inclinación, así como en la densidad de defectos planares que se produce conforme aumenta el dopado con Si explican la disminución en la densidad de dislocaciones que alcanzan la superficie libre de GaN