Comportamiento óptico no-lineal de nanocristales semiconductores de CDS en una matriz de gel de sílice

• Autores: Nicolás de la Rosa Fox, Manuel Piñero de los Ríos, Rocío Milagros Litrán Ramos, Luis María Esquivias Fedriani
• Localización: Boletín de la Sociedad Española de Cerámica y Vidrio, ISSN 0366-3175, Vol. 39, Nº 3, 2000, págs. 255-258
• Idioma: español
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• Resumen

  • La inclusión de nanocristales en una matriz dieléctrica puede realizarse mediante el método sol-gel, permitiendo el control de parámetros cinéticos en el crecimiento de los cristales. El tamaño y distribución de dichos nanocristales se han estudiado por medio de difusión de neutrones a bajo ángulo (SANS), con una resolución espacial entre 1 y 50 nm. Bajo excitación óptica de alta intensidad, usando un láser (Nd:YAG) con pulsos de 6 ns y una frecuencia de repetición de 10 Hz, se focalizó en la muestra para registrar la señal de fotoluminiscencia en la dirección perpendicular. El espectro indica procesos radiativos debidos a transiciones intrínsecas (2.76 eV) y una banda ancha a más baja energía (1.65 eV) correspondiente a recombinaciones en los defectos superficiales. La señal de fotoluminiscencia crece superlinealmente dando lugar a una amplificación (60 cm-1) debida principalmente a biexcitones que indican un comportamiento óptico no-lineal de los nanocristales de CdS.