Physical phenomena affecting performance and reliability of 4H�SiC bipolar junction transistors.

• Autores: P.G. Muzykov, R.M. Kennedy, Q. (Jon) Zhang, C. Capell, A. Burk, A. Agarwal, T.S. Sudarshan
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 49, Nº. 1, 2009, págs. 32-37
• Idioma: inglés
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