Study of stress-induced leakage current (SILC) in HfO2/Dy2O3 high-k gate stacks on germanium.

• Autores: M.S. Rahman, E.K. Evangelou, I.I. Androulidakis, A. Dimoulas
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 49, Nº. 1, 2009, págs. 26-31
• Idioma: inglés
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