New substrate-triggered ESD protection structures in a 0.18-µm CMOS process without extra mask.

• Autores: Y. Shan, J. He, W. Huang
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 49, Nº. 1, 2009, págs. 17-25
• Idioma: inglés
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