Electrical characteristics of MOSFETs with La2O3/Y2O3 gate stack.

• Autores: P. Ahmet, K. Nakagawa, K. Kakushima, H. Nohira, K. Tsutsui, N. Sugii, T. Hattori, H. Iwai
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 48, Nº. 11-12, 2008, págs. 1769-1771
• Idioma: inglés
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