Los chips ganadores: historia de los semiconductores de potencia de ABB

• Autores: Hansruedi Zeller
• Localización: Revista ABB, ISSN 1013-3135, Nº 3, 2008 (Ejemplar dedicado a: Electrónica de potencia), págs. 72-78
• Idioma: español
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• Resumen

  • Imagine un dispositivo electrónico con 100.000 millones de conmutadores que deben activar o desactivar simultáneamente una corriente eléctrica en poco más de un microsegundo y repetir esta acción varios cientos de veces por segundo. Si se tiene en cuenta que una redundancia sofisticada es necesaria para asegurar que el dispositivo funcione correctamente, incluso si alguno de los 100.000 millones de elementos no se desactiva adecuadamente, ¿es creíble que un dispositivo así funcione? Suponiendo que exista, ¿dónde se esperaría encontrarlo? Las respuestas más probables son superordenadores, equipo militar o grandes instalaciones científicas, como el CERN.

    Sorprendentemente, casi nadie asocia este nivel de tecnología de vanguardia de dispositivos semiconductores con el transporte de energía eléctrica. De hecho, el ejemplo descrito se refiere a una estación de conversión HVDC equipada con módulos IGBT de alta tensión de ABB.

    Cuando comenzó la historia de los semiconductores de potencia nadie, ni en sus sueños más disparatados, habría imaginado que alguna vez se alcanzaría semejante grado de complejidad, sofisticación y sintonía funcional. Tampoco podría haber pronosticado nadie que en el camino entre la central eléctrica y el consumidor final la corriente eléctrica circularía alguna vez a través de uniones de silicio.